Главное меню

Карта сайта
Главная
Курсовые работы
Отчеты по практикам
Лабораторные работы
Методические пособия
Рефераты
Дипломы
Лекции



Разработка топологии и технологии изготовления бескорпусной интегральной микросборки

 

Основные ограничения, накладываемые тонкопленочной технологией

Пассивные элементы, к точности которых предъявляются жесткие требования, располагаются на расстоянии 500 мкм при масочном методе и 200 мкм при фотолитографии от краев и осевых линий прижимных перегородок.

Для совмещения элементов, расположенных в разных слоях, предусматривается перекрытие не менее 200 мкм при масочном и совмещенном методах и менее 100 мкм при фотолитографии.

Для измерения номиналов пленочных элементов и контроля режимов схемы предусматриваются контактные площадки размером не менее 200х200 мкм.

Минимально допустимое расстояние между пленочными элементами (в том числе, и контактными площадками) составляет 300 мкм при масочном методе и 100 мкм при фотолитографии.

Минимальное номинальное значение сопротивления пленочного резистора устанавливается в 50 Ом, при этом длина резистора не должна быть менее 100 мкм.

Минимально допустимая ширина пленочных резисторов составляет 100 мкм при масочном методе и фотолитографии и 50 мкм при танталовой технологии.

Нижняя обкладка конденсатора должна выступать за край верхней обкладки не менее чем на 200 мкм, диэлектрик должен выступать за край нижней обкладки не менее чем на 100 мкм (исключение составляют конденсаторы, образованные пересечением двух полосок).

Минимально допустимая ширина пленочных проводников составляет 100 мкм при масочном методе и 50 мкм при фотолитографии и танталовой технологии.

Минимально допустимое расстояние между пленочными элементами, расположенными в разных слоях, составляет 200 мкм при масочном и совмещенном методах и 100 мкм при фотолитографии и танталовой технологии.

Минимально допустимые размеры контактных площадок составляют: при приварке гибких выводов 200х150 мкм, для припайки 400х400 мкм.

Не рекомендуется проектировать пленочные резисторы с числом квадратов менее 0,1 и конденсаторы с площадями менее 0,5х0,5 мм и суммарной площадью более 2 см.

Основные ограничения в толстопленочной технологии

Точность изготовления толстопленочных элементов составляет ±(0,05…0,1) мм при использовании проводящих паст и ± 0,1 мм при использовании резистивных и диэлектрических паст.

Минимальное расстояние между краями пленочных элементов и платы равно 0,1 мм.

Минимальные расстояния между краями платы и отверстиями под внешние выводы должны быть 0,5 мм.

Минимально допустимые расстояния между пленочными элементами должны быть 0,05…0,3 мм (в зависимости от типа паст) в одном слое и 0,4 мм – в разных слоях.

Минимальная ширина пленочных проводников составляет 0,15…0,2 мм при нанесении пасты на диэлектрический слой (в зависимости от типа паст).

Номинальные значения сопротивлений резисторов составляют 25 Ом…1 МОм, емкостей конденсаторов 50…2500 пФ.

Минимальная ширина резисторов составляет 0,8 мм.

Допустимое отклонение сопротивления резистора до подгонки не должно превышать 50% от номинального значения, максимальная точность подгонки 2%.

У толстопленочных конденсаторов нижняя обкладка должна выступать за край верхней не менее чем на 0,3 мм, диэлектрик должен выступать за край нижней обкладки не менее чем на 0,2 мм.

Минимальные размеры контактных площадок должны быть 0,4х0,4 мм.

Минимальное перекрытие проводящего слоя резистивным должно быть 0,1 мм.

Минимальные расстояния компонентов от края платы должны составлять 1мм.